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ONSEMI NTD2955T4G MOSFET, CANALE P, -60V, 12A, TO-252-4


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N. Articolo:
     8585-2317614
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTD2955T4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.155 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 55 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTD2955T4G, 2317614, 231-7614
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