ONSEMI NTE4153NT1G MOSFET, CANALE N, 20V, 915MA, SC-89-3

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.127 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 915 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-89 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 300 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 760 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)