Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2317887 N. Art. Produtt.: NTE4153NT1G EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.127 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 915 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-89 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 300 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 760 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTE4153NT1G, 2317887, 231-7887 |
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