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ONSEMI MUN5311DW1T1G TRANSISTOR, RF, NPN/PNP, 50V, SOT-363-6


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2317908
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     MUN5311DW1T1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Resistore R1 di Ingresso Base 10 kohm Resistore base-emettitore (R2) 10 kohm Numero di Pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor NPN e PNP complementare Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Corrente di Collettore continua 100 mA Guadagno di corrente DC (hFE) minimo 35 hFE Dissipazione di potenza 385 mW Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione collettore-emettitore max PNP 50 V Tensione collettore-emettitore max NPN 50 V
Altri termini di ricerca: bipolari, Digitali, Discreti, Pre-Polarizzati, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, MUN5311DW1T1G, 2317908, 231-7908
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