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NEXPERIA PDTA114YT,215 TRANSISTOR, RF, PNP, -50V, SOT-23-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2319396
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PDTA114YT,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Gamma di prodotti PDTA114Y Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Resistore R1 di Ingresso Base 10 kohm Resistore base-emettitore (R2) 47 kohm Numero di Pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor singolo PNP Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Corrente di Collettore continua 100 mA Guadagno di corrente DC (hFE) minimo 100 hFE Dissipazione di potenza 250 mW Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Tensione collettore-emettitore max PNP 50 V Tensione collettore-emettitore max NPN -
Altri termini di ricerca: bipolari, Digitali, Discreti, Pre-Polarizzati, Semiconduttori, Transistori, NEXPERIA, PDTA114YT,215, 2319396, 231-9396
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