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ONSEMI 2N7002DW MOSFET, DOPPIO CAN N 60V, 115MA, SOT-363


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N. Articolo:
     8585-2323153
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     2N7002DW
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 115 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 115 mA Resistenza RdsON canale N 1.6 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 1.6 ohm Dissipazione di potenza canale N 200 mW Dissipazione di potenza canale P 200 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, 2N7002DW, 2323153, 232-3153
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