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ONSEMI BSS138 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2323154
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BSS138
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.7 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Corrente Continua di Drain Id 220 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 50 V Dissipazione di potenza 360 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, MOSFET, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, BSS138, 2323154, 232-3154
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