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ONSEMI FDS4685 MOSFET, CANALE P, -40V, -8.2A, SOIC
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2323192
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDS4685
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
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(FET)
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Campo
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ONSEMI
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FDS4685
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2323192
,
232-3192
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