ONSEMI FDS6679AZ MOSFET, CANALE P, -30V, -13A, SOIC

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0077 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 13 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.9 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)