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ONSEMI FQT5P10TF MOSFET, CANALE P, -100V, -1A, SOT-223


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N. Articolo:
     8585-2323209
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQT5P10TF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.82 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FQT5P10TF, 2323209, 232-3209
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