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VISHAY SI2301CDS-T1-E3 MOSFET, CANALE P, -20V, -3.1A, SOT-23


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N. Articolo:
     8585-2335284
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2301CDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 2.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.11 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 400 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI2301CDS-T1-E3, 2335284, 233-5284
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