Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2335381 N. Art. Produtt.: SI7994DP-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 60 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 60 A Resistenza RdsON canale N 0.0046 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0046 ohm Dissipazione di potenza canale N 3.5 W Dissipazione di potenza canale P 3.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SI7994DP-T1-GE3, 2335381, 233-5381 |
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