Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2335392 N. Art. Produtt.:
SIA975DJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 12 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 12 V Corrente di drain continua (Id) canale N 4.5 A Resistenza RdsON canale N 0.07 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.07 ohm Dissipazione di potenza canale N 7.8 W Dissipazione di potenza canale P 7.8 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SC-70 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SIA975DJ-T1-GE3, 2335392, 233-5392 |
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| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 0,277* | € 0,665* | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 0,209* | € 0,86* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 2500000 pezzi | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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