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STMICROELECTRONICS STQ1NK80ZR-AP MOSFET, CANALE N, 800V, 0.3A, TO-92


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N. Articolo:
     8585-2344082
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STQ1NK80ZR-AP
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 13 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 300 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-92 Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.75 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STQ1NK80ZR-AP, 2344082, 234-4082
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