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Articolo
VISHAY SI7252DP-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 100V, 36.7A, SOIC-8
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2364060
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI7252DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 36.7 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 36.7 A Resistenza RdsON canale N 0.014 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.014 ohm Dissipazione di potenza canale N 46 W Dissipazione di potenza canale P 46 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
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Doppi
,
Effetto
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Semiconduttori
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Transistori
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VISHAY
,
SI7252DP-T1-GE3
,
2364060
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236-4060
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