VISHAY SI7252DP-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 100V, 36.7A, SOIC-8

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 36.7 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 36.7 A Resistenza RdsON canale N 0.014 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.014 ohm Dissipazione di potenza canale N 46 W Dissipazione di potenza canale P 46 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)