Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2364065 N. Art. Produtt.:
SI8816EDB-T2-E1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.087 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 900 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 600 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI8816EDB-T2-E1, 2364065, 236-4065 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | | a partire da € 0,53* | | | | Il prezzo è valido a partire da 30.000 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,106* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 200 pacchetti | | | | a partire da 1000 pacchetti | | | | a partire da 30000 pacchetti | | | |
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