VISHAY SIHP33N60E-GE3 MOSFET, CANALE N, 600V, 33A, TO-220

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.083 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 33 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 278 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)