Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2419467 N. Art. Produtt.: PMPB215ENEA EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.175 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-1220 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 3.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB215ENEA, 2419467, 241-9467 |
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| ![](/p.gif) | Riepilogo condizioni1 | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | In magazzino |
| a partire da € 0,525* | ![](/p.gif) | | | Il prezzo è valido a partire da 30.000 pacchetti | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,105* per pezzo) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Scegli condizioni | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Prezzi progressivi | ![](/p.gif) | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | ![](/p.gif) | | | | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 200 pacchetti | | | | a partire da 1000 pacchetti | | | | a partire da 30000 pacchetti | | | |
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