Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2429705 N. Art. Produtt.:
IXFB210N30P3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0145 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 210 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-264 Tensione Drain Source Vds 300 V Dissipazione di potenza 1.89 kW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFB210N30P3, 2429705, 242-9705 |
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