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Articolo
ONSEMI FDS6680A MOSFET, N, SO-8, FULL REEL
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2438454
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDS6680A
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0095 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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Effetto
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ONSEMI
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FDS6680A
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2438454
,
243-8454
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