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ONSEMI FDG6304P MOSFET, DOP CAN P, -25V, -0.41A, SC-70-6
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2453405
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDG6304P
EAN/GTIN:
n.d.
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Transistor digitale
Transistor dual
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tensione drain-source (Vds) canale N 25 V Corrente di drain continua (Id) canale P 410 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 25 V Corrente di drain continua (Id) canale N 410 mA Resistenza RdsON canale N 0.85 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.85 ohm Dissipazione di potenza canale N 300 mW Dissipazione di potenza canale P 300 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-70 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
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FET di giunzione
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Discreti
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Doppi
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Effetto
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Semiconduttori
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Transistori
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ONSEMI
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FDG6304P
,
2453405
,
245-3405
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