Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2453888 N. Art. Produtt.:
FQA8N100C EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-3PN Tensione Drain Source Vds 1 kV Dissipazione di potenza 225 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, FQA8N100C, 2453888, 245-3888 |
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| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 30 | | Franco domicilio | a partire da € 3,33* | € 4,423* | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | a partire da € 3,12* | € 5,99* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 2,62* | € 6,83* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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