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ONSEMI SI4532DY Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain


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N. Articolo:
     8585-2454098
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     SI4532DY
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.9 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.9 A Resistenza RdsON canale N 0.053 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.053 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, SI4532DY, 2454098, 245-4098
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