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STMICROELECTRONICS STU7N65M2 MOSFET, CANALE N, 650V, 5A, TO-251-3
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2460389
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STU7N65M2
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.98 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-251 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
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Transistori
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Transistore
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transistor a effetto campo
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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STMICROELECTRONICS
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STU7N65M2
,
2460389
,
246-0389
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