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INFINEON IRF9952TRPBF MOSFET, CANALE N&P, 30V, 3.5A, SOIC-8


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N. Articolo:
     8585-2468029
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF9952TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.5 A Resistenza RdsON canale N 0.08 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.08 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, INFINEON, IRF9952TRPBF, 2468029, 246-8029
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