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INFINEON BSP129H6327XTSA1 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-2480624
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSP129H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 4.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 350 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 240 V Dissipazione di potenza 1.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, BSP129H6327XTSA1, 2480624, 248-0624
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