ROHM RUS100N02TB MOSFET, CANALE N, 20V, 10A, SOP-8

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)