Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2498570 N. Art. Produtt.:
BSH205G2R EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.12 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 480 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BSH205G2R, 2498570, 249-8570 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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