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ROHM RGT60TS65DGC11 TBGI, SINGOLO, 650V, 55A, TO-247N-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2519783
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGT60TS65DGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.65 V Corrente di collettore continua 55 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 194 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023) Montaggio Transistore foro passante (THT)
Altri termini di ricerca: transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RGT60TS65DGC11, 2519783, 251-9783
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