ONSEMI NTHS4101PT1G MOSFET, CAN-P, -20V, -4.8A, CHIPFET-8

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.021 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor ChipFET Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)