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ONSEMI NTJD4158CT1G MOSFET, COMPLEMEN. CAN. N/P, 30V, SOT363


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N. Articolo:
     8585-2533193
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTJD4158CT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 250 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 250 mA Resistenza RdsON canale N 1 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 1 ohm Dissipazione di potenza canale N 270 mW Dissipazione di potenza canale P 270 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-88 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, NTJD4158CT1G, 2533193, 253-3193
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