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ONSEMI NTMS10P02R2G MOSFET, CAN-P, -20V, -8.8A, SOIC-8


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2533197
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTMS10P02R2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.012 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 880 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTMS10P02R2G, 2533197, 253-3197
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