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ONSEMI NTR1P02LT3G MOSFET, CANALE P, -20V, -1.3A, SOT-23-3


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N. Articolo:
     8585-2533199
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTR1P02LT3G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.14 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 400 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTR1P02LT3G, 2533199, 253-3199
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