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ONSEMI NTS4173PT1G MOSFET, CAN-P, -30V, -1.2A, SOT-323


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N. Articolo:
     8585-2533203
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTS4173PT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.09 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 290 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.15 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTS4173PT1G, 2533203, 253-3203
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