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ONSEMI NTZD3154NT1G MOSFET, DOPPIO CAN-N, 20V, 0.54A SOT-563


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N. Articolo:
     8585-2533209
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTZD3154NT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 540 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 540 mA Resistenza RdsON canale N 0.4 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.4 ohm Dissipazione di potenza canale N 250 mW Dissipazione di potenza canale P 250 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-563
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, ONSEMI, NTZD3154NT1G, 2533209, 253-3209
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