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Articolo
DIODES INC. DMG1016V-7 MOSFET, CA-P & N, 20V/-20V, SOT-563
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2543558
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMG1016V-7
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 870 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 870 mA Resistenza RdsON canale N 0.3 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.3 ohm Dissipazione di potenza canale N 530 mW Dissipazione di potenza canale P 530 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-563 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
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Transistor SMD
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Transistori
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(FET)
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Campo
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Doppi
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Effetto
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Semiconduttori
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DIODES INC.
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2543558
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254-3558
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