VISHAY SI4421DY-T1-GE3 MOSFET, CAN-P, -20V, -10A, NSOIC-8

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor NSOIC Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 800 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)