VISHAY SI7611DN-T1-GE3 MOSFET, CAN-P, -40V, -18A POWERPAK1212-8

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.021 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 18 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 39 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)