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ONSEMI FGD5T120SH IGBT, SINGOLO, CAN-N, 1.2KV 10A TO-252-3


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N. Articolo:
     8585-2565212
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGD5T120SH
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2.9 V Corrente di collettore continua 10 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 69 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, FGD5T120SH, 2565212, 256-5212
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