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ONSEMI FCP165N60E MOSFET, CAN-N, 600V, 23A, TO-220-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2565218
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCP165N60E
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Gamma di prodotti SuperFET II Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 23 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 227 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.132 ohm
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FCP165N60E, 2565218, 256-5218
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