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NEXPERIA PMV27UPEAR MOSFET, CA-P,-20V, -4,5A TO-236AB


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N. Articolo:
     8585-2628089
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMV27UPEAR
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.027 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 490 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMV27UPEAR, 2628089, 262-8089
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