NEXPERIA PMV450ENEAR MOSFET, CA-N, 60V, 0,8A, TO-236AB

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 800 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 323 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)