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Articolo
ROHM R6011KNJTL MOSFET, CA-N, 600V, 11A, TO-263
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2630095
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
R6011KNJTL
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.34 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 124 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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transistor a effetto campo
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(FET)
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Discreti
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ROHM
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R6011KNJTL
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2630095
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263-0095
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