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ONSEMI NVF3055L108T1G MOSFET, CA-N, 60V, 3A, SOT-223


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N. Articolo:
     8585-2630364
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVF3055L108T1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.092 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 2.1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.68 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, NVF3055L108T1G, 2630364, 263-0364
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