Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2630828 N. Art. Produtt.:
C3M0280090J EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 900 V Dissipazione di potenza 50 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015) Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.28 ohm Gamma di prodotti C2M Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), WOLFSPEED, C3M0280090J, 2630828, 263-0828 |
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