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VISHAY SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET, DOPPIO CAN N 60V, 6,5A, SOIC


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N. Articolo:
     8585-2646385
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4946BEY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6.5 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.5 A Resistenza RdsON canale N 0.033 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.033 ohm Dissipazione di potenza canale N 3.7 W Dissipazione di potenza canale P 3.7 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SI4946BEY-T1-GE3, 2646385, 264-6385
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