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VISHAY SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET, DOP CAN P, -20V, -4A, CHIPFET


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N. Articolo:
     8585-2646387
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI5935CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 4 A Resistenza RdsON canale N 0.083 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.083 ohm Dissipazione di potenza canale N 3.1 W Dissipazione di potenza canale P 3.1 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor ChipFET Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SI5935CDC-T1-GE3, 2646387, 264-6387
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