Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2677182 N. Art. Produtt.:
NTMFS5H600NLT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0011 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 250 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 160 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTMFS5H600NLT1G, 2677182, 267-7182 |
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