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ROHM SCT3022ALGC11 MOSFET, CA-N, 650V, 93A, TO-247N


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2678782
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT3022ALGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 93 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 339 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT3022ALGC11, 2678782, 267-8782
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 1W, Vin 21,6 → 26,4 V c.c., Vout ±15V cc, 5.7kV cc
Murata
MGJ1D241505MPC-R7
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 10,8 → 13,2 V c.c., Vout -5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D121505SC
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