VISHAY SI4154DY-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 40V, 36A, SOIC

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0027 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 36 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 7.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)