VISHAY SI8424CDB-T1-E1 MOSFET, CANALE N 8V, 10A, MICRO FOOT

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Tensione Drain Source Vds 8 V Dissipazione di potenza 2.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 800 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)